GL8 MLA Gen2工藝紫外納米壓印光刻設(shè)備

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簡要描述：GL8 MLA Gen2工藝紫外納米壓印光刻設(shè)備是一種專門為晶圓級光學(xué)加工（WLO-Wafer Level Optics）開發(fā)的全幅紫外納米壓印設(shè)備，可在200mm基底面積上平行復(fù)制生產(chǎn)聚合物光學(xué)器件。

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GL8 MLA Gen2工藝紫外納米壓印光刻設(shè)備是一種專門為晶圓級光學(xué)加工（WLO-Wafer Level Optics）開發(fā)的全幅紫外納米壓印設(shè)備，可在200mm基底面積上平行復(fù)制生產(chǎn)聚合物光學(xué)器件。

GL8 MLA Gen2是一種專門為晶圓級光學(xué)加工（WLO-Wafer Level Optics）開發(fā)的全幅紫外納米壓印設(shè)備，可在200mm基底面積上平行復(fù)制生產(chǎn)聚合物光學(xué)器件。

該設(shè)備支持從晶圓級母模具表面自動復(fù)制柔性復(fù)合工作模具，工作模具具有精度高，壽命長等特點，可以顯著降低大面積納米壓印工藝中模具使用成本。內(nèi)置的點膠系統(tǒng)、APC（主動模具基底平行控制）技術(shù)、以及自動脫模功能都保證了大面積晶圓級光學(xué)生產(chǎn)的精度、均勻性（TTV）與良率。同時，自動模具基底對位系統(tǒng)還可實現(xiàn)晶圓之間對位堆疊工藝（WLS-Wafer Level Stacking）。

GL8 MLA納米壓印設(shè)備適用于DOE、勻光片（Diffuser）、微透鏡陣列、菲涅爾透鏡等產(chǎn)品的研發(fā)和量產(chǎn)。

GL8 MLA Gen2工藝紫外納米壓印光刻設(shè)備主要功能

●經(jīng)過量產(chǎn)驗證的200mm晶圓級光學(xué)生產(chǎn)（WLO）設(shè)備
●APC主動模具基底平行控制技術(shù)，確保大面積晶圓壓印TTV均勻性
●設(shè)備內(nèi)自動復(fù)制柔性復(fù)合工作模具，降低大面積納米壓印模具使用成本
●內(nèi)置自動點膠功能
●自動壓印、自動曝光固化、自動脫模，工藝過程無需人工干預(yù)
●標(biāo)配高功率紫外LED面光源（365nm，光強>1000mW/cm2 ），水冷冷卻，特殊功率以及特殊、混合波長光源可訂制，支持各種商用納米壓印材料
●標(biāo)配設(shè)備內(nèi)部潔凈環(huán)境與除靜電裝置
●隨機提供全套納米壓印工藝與材料，包括標(biāo)準(zhǔn)示范WLO等工藝流程，幫助客戶零門檻達(dá)到高質(zhì)量的納米壓印水平

設(shè)備照片

相關(guān)參數(shù)

兼容基底尺寸	2inch、100mm、150mm、200mm 特殊尺寸可以定制
支持基底材料	硅片、玻璃、石英、塑料、金屬等
上下片方式	手動上下片
晶圓預(yù)對位	機械夾持預(yù)對位，可選裝光學(xué)巡邊預(yù)對位
納米壓印技術(shù)	APC主動平行控制技術(shù)，適合大面積WLO、WLS等工藝
壓印精度	優(yōu)于10nm*
結(jié)構(gòu)深寬比	優(yōu)于10比1*
TTV控制	微米級精度（200mm晶圓）
紫外固化光源	紫外LED（365nm）面光源，光強>1000mW/cm2，水冷冷卻（2000mW/cm2類型光源可選配）
設(shè)備內(nèi)部環(huán)境控制	標(biāo)配，外部環(huán)境Class 100，內(nèi)部環(huán)境可達(dá)Class 10*
自動壓印	支持
自動脫模	支持
自動工作模具復(fù)制	支持
模具基底對位功能	自動對位（選配）

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GL8 MLA Gen2工藝紫外納米壓印光刻設(shè)備

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